芯片制造三大核心设备

光刻机又称眼膜光刻机又称掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等

由于光刻技术的水平直接决定芯片制造工艺和性能的水平，光刻已成为集成电路制造中最复杂、最关键的工艺步骤。光刻机是光刻技术的核心设备，被誉为半导体工业皇冠上的明珠。目前最先进的是第五代EUV光刻机，它利用极紫外光将最小工艺节点推到7Nm。荷兰阿斯姆制造。        我国光刻技术比较先进，上海微电子设备有限公司已经实现了90nm的批量生产。目前，65nm技术正在研究中。其他包括合肥新硕半导体有限公司、仙腾光电科技有限公司、无锡英苏半导体科技有限公司等企业，在光刻方面有自己的成就。然而，这些光刻企业仍在原有的道路上一步步前进。我们相信只要我们努力，我们就能在未来达到一个很高的水平。但对于平版印刷行业来说，虽然他们的追赶速度很快，但技术进步的速度也很快。因此，他们只能在低端保持一定的市场份额。         要想进入高端市场，中国最先进的光刻技术应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道，国家重大科研装备研制项目“超分辨率光刻设备研制”于11月29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制。光刻分辨率达到22nm。结合双曝光技术，未来还可以用于制造10nm级芯片。          也就是说，中国科学院光电技术研究所的这一成果，直接推动了中国光刻技术的几代人的发展。当然，要使这一科研成果在量产中得到充分实现，还有几个障碍。一是光刻分辨率达到22nm，这只是一个极限测试。它属于一次曝光，不能做芯片。其次，要能够在实验室制造芯片，还要实现量产，这是另一个关卡。但总的来说，已经有了22纳米的光刻分辨率，所离成型机的距离，还没有那么远。另外，目前的紫外光刻技术需要在7Nm芯片问世后有一个新的技术突破。就像从液体浸泡到EUV的技术飞跃一样。

制作我笑了，中国成千上万的工程师，研制了几十年都没有研究成功，

1、光刻机2、ICP等离子体刻蚀系统3、反应离子刻蚀系统4、离子注入机5、单晶炉6、晶圆划片机7、晶片减薄机8、气相外延炉9、分子束外延系统10、氧化炉（VDF）11、低压化学气相淀积系统12、等离子体增强化学气相淀积系统13、磁控溅射台14、化学机械抛光机15、引线键合机16、探针测试台