电子科技大学硕士学位论文SiGeBiCMOS集成器件设计与关键工艺研究姓名：韩春申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李竞春20080501摘要摘要本文结合1．59mSiGeBiCMOS的实际工艺条件，提出了基于分子...
SiGeHBT具有一系列的优点：1）如果基区是缓变的，则基区加速电场会使得基区渡越时间降低，从而使器件的频率特性如fmax等得到提高；电子科技大学成都学院本科毕业设计论文2）发射结注入效率的提高，可以在保证电流增益不下降的情况下提高基区
5316｜IIll2…9《硕士学位论文SiGe合金单晶生长及性能研究StudySil一xGexSingleCrystalGI：owthandItsPerfo：rmaffce学科专业：电子与通信工程研究生：刘锋指导教师：毛陆虹教授企业导师：何秀坤教授天津大学电子通信学院二零零八年七月摘要SiGe单晶的特点是其性质随组分不同而变化，具有带隙可调，禁...
从SiGeBiCMOS工艺集成技术研究李红征（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）摘要：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管...
【摘要】：SiGe是继Si和GaAs之后的一种重要半导体材料,SiGe具有一些比Si更好的特性,能进行能带调整、设计异质结结构等,并且在工艺上与Si兼容,SiGe器件具有性能高成本低的特点。近年来在SiGe基础上发展了应变Si技术,大大提高了CMOS频率、速度等性能,成为...
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点，发展前景好，因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeBiCMOS工艺和SiGeHBT原理的研究，确定了适用于24所工艺条件的1.5mSiGeBiCMOS工艺流程，并基于该工艺流程设计
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,可以很好地满足发展需要,因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeHBT原理和SiGeBiCMOS电路特点的研究,设计出SiGeHBT器件和SiGeBiCMOS高速运算放大器。首先,通过分析...
SOI应变SiGeBiCMOS关键技术研究.杨超.【摘要】：基于TF(ThinFilm)-SOI衬底应变SiBiCMOS(由TF-SOISiGeHBT和TF-FD-SSOIMOSFET单元构成)技术是当前国内外研究发展的重点和热点,在高性能、高集成度、低功耗纳米电路中具有广阔的应用前景。.本文主要开展TF-SOISiGeHBT和TF-SOI...
1林志斌;李添应;;MastSIgE检测在常年性变应性鼻炎诊断中的应用[A];第一届全国反应学术研讨会论文汇编[C];2001年2卢迪卿;赖荷;;评UniCAPSystem测定sIgE在反应病诊断中的意义[A];中华医学会第二次全国反应学术会议论文汇编[C];2004年3刘瑞...
本论文从集电区掺杂工程、基区Ge组分分布多种组合优化出发,进行体硅SiGeHBT的f_T×BV乘积优值的提高技术研究,β、f_T和β×V_A乘积优值及其温度敏感性的改善技术研究,进行SOISiGeHBT的f_T×BV乘积优值和热特性的同时改善的技术研究。
(2015专业论文)浅谈国内外sige技术现状及市场,论文国内外研究现状,浅谈会计职业道德论文,浅谈企业管理论文,浅谈企业文化论文,浅谈现代酒店营销论文,浅谈安全管...
SiGe单晶的生长及其性能的研究毕业论文下载积分:1000内容提示:2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海SiGe单晶的生长及其性能的研究牛...
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,可以很好地满足发展需要,因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeHBT原理和SiGeBiCMOS电路特点的研究,设...
论文通过对器件电路模型VBIC和MOSLEVEL3的分析,提出了相应的模型参数提取方法,建立了模型参数提取策略,并将该策略成功地应用到SiGeHBT器件VBIC模型和应变SiPMOS器件MOSLE...
摘要:基于IBM0.36μmSiGeBiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5～6GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感...
目的探讨广州医科大学附属第一医院门诊怀疑食物过敏常见食物过敏原sIgE阳性分布特征及过敏原间的相关性.方法采用回顾性调查研究的方法,选取2006年7月至2...
【摘要】:正1987年,Smith等人首次成功地研制出Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT),由于SiGe异质结材料,电子迁移率高,能带结构可人工调整,而且其器件工艺与成熟的Si平面工艺相兼容...
论文目录摘要第1-6页Abstract第6-9页第1章绪论第9-16页·研究背景第9-12页·无线局域网简介第9-10页·无线局域网标准分类第10-11页1.1.3802.11b标准的特...