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此项研究对阻变式存储器（RRAM）的应用具有重要的参考价值。相关论文发表在AdvancedElectronicMaterials上。FiledUnder:器件,电子,纳米TaggedWith:AdvancedElectronicMaterials,RRAM,串扰问题.氧化镍纳米点内建同质结,清华大学
SCI论文257篇,关于忆阻器的SCI论文在2013年被引用3647次.目前,忆阻器的研究已成为物理、电子、材料、纳米等领域的前沿和热点,并呈现出多学科交叉融合的特征[35].本文综述目前忆阻器及其阻变机理的最新研究进展,并结合本课题组的前期研究工作
浏览器.继续.JamesNorton.杂志社编辑微信wxid15070097865.研究的前沿一定是研究热点，研究热点不一定是研究前沿，两者没有从属关系，不要纠结这些文字概念，好好做学术，多看看文献，发现里面的前沿的东西。.我的建议可能会有很多人不能苟同，但是真理一般...
2013-10-15研究生如何看文献，如何确定自己的研究领域1592017-10-17如何找到一个好的论文议题知乎12015-04-10如何进行科研选题和立题62015-08-24医学检验专业目前的前沿，热门的科研方向？2017-01-06工业设计学术领域比较前沿的研究方向有哪些
11月13日，中国科学院科技战略咨询研究院、中国科学院文献情报中心与科睿唯安联合向全球发布了《2020研究前沿》报告。
从被抽检的硕士学位论文中我们发现：不合格论文普遍有6个问题.当前，随着研究生教育规模的不断扩大，研究生教育由规模发展逐渐转向质量和内涵发展，不断提升教育质量是新时期研究生教育的重要任务。.学位论文质量是衡量研究生教育质量的重要标准...
编者按：自然语言处理顶会ACL2020将于7月5日-10日在线举行。本届大会中，微软亚洲研究院共有22篇论文被录取，内容涵盖机器翻译、文本生成、机器阅读理解、事实检测、人机对话等领域。本文精选了6篇有代表性的论…
我国公共管理理论研究的前沿问题探讨所谓的公共管理就是通过对公共权利进行协调，它包含了公共权力的影响范围和政策等方面。我国的公共权利从奴隶社会到封建社会这期间的都属于公共权利。自1949年成立新中国之后，领导人都在对公共管理进行了研究，新时代下，中国特色的社会主义展现的...
其中，流体注入引发的地震活动研究连续3年入选《研究前沿》报告，利用好奇号开展盖尔陨石坑的岩石矿物学研究连续4年入选，呈现出热点问题研究的延续性。地球科学领域Top10热点前沿地球科学领域Top10热点前沿的施引论文1.2重点热点前沿
RRAM或将改写存储器历史—兼评国内学者如何做出一流成果.集微网消息文／陈冉三维（3D）材料以其实用性好，简便及成本低廉等特点一直在各大行业的占据着主导地位，而无论在科研界还是工业界，人们对二维材料的研究与应用却始终屈指可数。.我们...
电阻存储器rram的可靠性的研究,可靠性研究,北航可靠性工程研究所,减肥药的可靠性研究,可靠性工程研究所,如图是研究巨磁电阻,存储器,虚拟存储器,主存储器,只读存...
今年年初,在美国旧金山召开的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上,一篇由美国斯坦福大学和苏州大学科研团队联合发布,阐述二维阻变式存储器的论文引起了业内的极大关注...
两端神经形态突触器件主要是忆阻器,根据机理不同可分为阻变存储器(RRAM),相变存储器(PCM),磁存储器(MRAM...不会存在晶格失配的问题.2019年Nature评述论文指出:二维...
针对传统集成电路PUF的不足,利用RRAM的优势,清华大学微纳电子系博士研究生庞亚川在ISSCC2019上首次介绍了一种基于RRAM电阻随机性的可重构物理不可克隆函数芯片设计。该报告提出了一...
本文针对基于ZrO2与Si3N4薄膜的阻变存储器展开研究,主要内容如下:1.论文对Ti/ZrO2/PtRRAM器件的直流转换、阻变机制、导电机制等方面的特性进行研究。研究器件的C-V与C-F特性...
两端神经形态突触器件主要是忆阻器,根据机理不同可分为阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCM)、磁存储器(MRAM)等,这类器件的信号传递路径与权重调制路径为同一路径,均为上电极-下电极...
2013年申请量开始降低,这与2013年后有关RRAM的研究进入瓶颈期密切相关。由图1和图2的对比数据分析可知,RRAM技术论文数量大于专利数量,且研究性成果早于专利申请...
本文有望为基于卤化铅钙钛矿基的RRAM提供一个全面的视角,并促进纳米级存储器的发展。图1.钙钛矿阻变存储器的参数、器件结构及阻变机理图2.论文被选为封面I...
论文目录摘要第3-4页ABSTRACT第4页主要符号对照表第11-12页第一章绪论第12-22页1.1忆阻器Memristor的起源和发展第12-13页1.2基于RRAM的神经计算介绍及其优势和...
RRAMResistanceRAMbasedonchangeinresistancewithappliedelectricfieldPolymerMemorybasedonresistancechangeofpolymeratcrosspointof...