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14低压功率MOSFETEOS失效机理的研究复旦大学硕士学位论文由于一系列的有利因素：电力，环境，含有一定功率的智能控制（如汽车），以及现代信息社会的要求，功率集成电路的市场十分巨大并且发展迅速，自1992年以来其规模己翻番，年均增长率高达20％以上...
复旦大学硕士学位论文低压功率MOSFETEOS失效机理的研究姓名:潘少辉申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:张卫20070421论文独创性声明...
内容提示:复旦大学硕士学位论文低压功率MOSFETEOS失效机理的研究姓名:潘少辉申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:张卫20070421论文独创...
但其也面临着BV,R<,DS>(on)和Q<,GD>之间协调优化的矛盾以及提高VRM系统效率和可靠性的问题.TrenchpowerMOSFET在应用于VRM系统时,EOS失效是其最常见的失效模式,如何提高系统...
个人资料整理仅限学习使用“半导体技术”2007年第32卷第4期技术论文“摘要”趋势与展望P277-TrenchMOSFET的研究与进展P281-光子射频移相器研究与进展现代管理P284-...
英飞凌推出OptiMOS25V器件系列,壮大OptiMOS功率MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化,适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信,数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被...
低压功率MOSFET+EOS失效机理研究.pdf文档介绍:摘要半导体技术的不断创新给电力电子产业带来了革命性的发展,在能源日趋紧张的当今社会,高效的功率开关器件成为业界技术发展的...
Keywords:MOSFET,modeling,divercircuit,theboostcircuit武汉理工大学毕业设计(论文)PAGE\*MERGEFORMAT38第1章绪论1.1本文的研究目的及意义现...
避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法陈菊华【摘要】:由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测...
【摘要】:摩尔定律预测硅材料CMOS器件特征尺寸按比例缩小已经接近其物理极限,InGaAs基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有沟道材料电子迁移率高、电子饱和速度大、亚...
内容提示:多参京交硕士学位论文SiCMOSFET研究及应用ResearchandapplicationofSiCMOSFET作者:李新秀导师:郝瑞祥北京交通大学2016年3月万方数据学位论...