GaAs基异质结双极晶体管（HBT）的模拟、设计与制作,异质结双极晶体管(HBT),分子束外延(MBE),器件模拟,频率特性。异质结双极晶体管(HBT)的特点具有宽带隙的发射区,能大大提高发射结的载流子注入效率,降低基区串联电阻,其优异的性能包括...
天津大学硕士学位论文GaAs基HBT器件及工艺研究姓名：郑坚斌申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：申云琴;刘训春2001.1.1摘要本文探讨了GaAsHBT在高速和射频领域的应用前景；介绍了HBT的基本原理、基本...
图24具有外扩阻挡层的器件在高温贮存下特征频率的变化情况北京工业大学工学顷士学位论文2．3siGeHBT器件可靠性实验系统1器件实验测量方案本实验在测量SiGeHBT特性曲线时，采取了两种方案。一种是采用程控全自动测试系统。
中国科学院上海冶金研究所硕士学位论文GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究姓名：彭鹏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：陈建新;李爱珍2000.7.1本论文主要从异质结双极型晶体管（HBT）用III—V族化合物半导体材料结构和分子束外延（GSMBE）生长工艺的角…
中国科学院上海微系统与信息技术研究所硕士学位论文InGaAs/InPHBT的直流特性分析与设计姓名：陈雷东申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：曹俊诚20030601摘要本文设计了～种新材料结构的InGaAs／InP双异质...
inphbt器件大信号模型研究,电子元器件3d模型,电子器件3d模型下载,元器件3d模型,电子元器件3d模型下载,元器件基本特征的模型,pspice与电子器件模型,器件模型工程师,器件模型,电子元器件模型
本文对GeSiHBT的可靠性问题进行研究。首先本论文提出了一种新型的GeSiHBT工艺流程，采用这种流程极大地改善了器件稳定性、可靠性及其性能。为了高效地评估器件的可靠性，我们建立并优化了器件的可靠性实验系统与数据分析系统，这种系统具有方便快捷，准确度高的特点。
论文研究-InP/InGaAsHBT频率特性分析.pdf08-17InP/InGaAsHBT频率特性分析，马晓晖，黄永清，频响特性是HBT设计中应首先考虑的因素,而，则是HBT最主要的频率性能指标，本文基于InP/InGaAsHBT器件的物理结构构建了小信号等效电路
本论文从集电区掺杂工程、基区Ge组分分布多种组合优化出发,进行体硅SiGeHBT的f_T×BV乘积优值的提高技术研究,β、f_T和β×V_A乘积优值及其温度敏感性的改善技术研究,进行SOISiGeHBT的f_T×BV乘积优值和热特性的同时改善的技术研究。
最新博士论文—《基于N型GaAsHBT工艺的1.5-2.7GHz差分推挽功率放大器的研究》摘要第1-6页Abstract第6-11页第1章绪论第11-33页1.1无线通信与半导体技术的发展
关键词:重离子碰撞,HBT,流体模型,Tsallis统计模型山东大学硕士学能论文II山东大学硕十学位论文AbstractIIlpionee血gexperime她H锄bu巧Br0WnalldT撕ss瑕etlle...
下载所得到的文件列表anadigicsaccelerateshbtprogramme论文.pdf文档介绍:NewsUpdateBriefs...Briefs...QuantumdotsfindmarkerroleRohmaudmCoha...
InP+HBT发射结微短路现象研究毕业论文下载积分:1000内容提示:2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海;InPHBT发射结微短路现象研究于...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心HBT'sthermalimpedancemeasurement来自ResearchGate喜欢0阅读量:1作者:TZimmer,PBaureis,HBeckrich,PY...
关键词:重离子碰撞,HBT,流体模型,Tsallis统计模型山东大学硕士学能论文II山东大学硕十学位论文AbstractIIlpionee血gexperime她H锄bu巧Br0WnalldT撕ss瑕etlle...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文砷化镓基高温HBT器件及其特性研究姓名:刘文超申请学位级别:博士专业:微电子学与固体电子学指导教师:...
毕业论文SiGeHBT微波功率放大器的设计摘要摘要微波功率放大器在雷达通信导航卫星地球站电子对抗设备等系统中有着广泛的应用对于微波晶体管功率放大器总是要求在...
论文目录摘要第1-5页Abstract第5-9页第1章绪论第9-21页1.1.射频HBT功率放大器的应用及发展第9-10页1.2.GaAsHBT放大器的热效应问题及研究现状第10-17页1.3.本...
硕士论文(前9篇)更多>会议论文(前2篇)更多>博士论文(前4篇)更多>HBT(异质结双极型晶体管)更多解释>>与"HBT(异质结双极型晶体管)"相关的文献前10条更多文献>>...
【摘要】:在550℃的低温下,利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)材料结构。通过低温生长提高了HBT基区p型掺...