GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计.输出功率半导体以其高集成度和低功耗等优点，在电力电子系统中得到了广泛的应用。.gan输出功率场效应晶体管具有开关速度快、击穿输出电压高等优点。.它还需要系统达到高频、高稳定性和可靠性。.它将逐渐取代...
西安电子科技大学硕士学位论文AIGaN／GaNHEMT功率器件测试及封装技术研究作者：艾君导师：郝跃教授学科：微电子学与固体电子学中国西安2011年6月packagingtechnologyAIGaN／GaNHEMTpowerdevicesADissertationSubmittedXidianUniversitySolid．StateElectronicsByAiJunXi’an，P．R．ChinaJune2011m0西安电子科技大学...
西安电子科技大学硕士学位论文GaNHEMT微波功率器件的内匹配模块研制中国西安2011年1月andManufactureHEMTPresentedtoXidianUniversityInCandidacyforMaster’SDegreeMicroelectronicsandSolid．stateElectronicsZhouZhouXi’anP．R．ChinaJanuary2011西安电子科技大学学位论文创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导...
优秀硕士学位论文—《GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计》摘要第1-6页Abstract第6-10页第一章绪论第10-18页1.1论文背景和意义第10-13页
本论文从GaN基功率器件的研究进展和面临的技术挑战出发，基于能带工程，首先研究了增强型器件用Ga面极性InGaN/AlGaN/GaN异质结构材料的设计原则，之后探究了N面极性GaN/AlGaN/GaNHEMT材料结构中二维空穴气（2DHG）和2DEG的浓度
该论文是中国在ISSCC会议上发表的第一篇关于高压（600V等级）GaN驱动技术的论文。GaN功率器件具有工作频率高、导通电阻小、温度特性好等优点，已成为未来高功率密度电源系统的首…
论文写作指导：请加QQ2784176836导读:本论文可用于器件功率论文范文参考下载，器件功率相关论文写作参考研究。湘能华磊光电股份有限公司湖南郴州背景随着经济的增长,人们的日常活动中越来越依赖电子化的数据和设备.这为功率电子产业的...
GaN基HEMT器件的基础分析.pdf,中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管(印三MT)因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半导体异质结界面二维电子气(2DEG)的浓度及其分布，直接影响基于...
硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究.【摘要】：因具有高击穿电压、高电子迁移率、高饱和电子速度和高载流子迁移率等优异性能,硅基氮化镓异质结高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaNHighElectronMobilityTransistors,HEMTs)功率器件正成为下一代高效功率电子的强有力...
硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件具有击穿电压高、工作温度高和工作频率高等优异性能,是电力电子领域极为理想的半导体器件,现已成为国际半导体领域的研究热点之一。因增强型功率器件具有安全性高及驱动简单等优点,如何出高性能的GaN-on-Si增强型功率器件是学者们关
GaN功率器件的发展及应用_电子/电路_工程科技_专业资料+申请认证文档贡献者维普资讯网中国最大最早的专业内容网站2012347613056433583.6文档数浏览...
电力电子器件是电力电子技术的重要基础.现有硅基电力电子器件的性能已经近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能.以氮化镓为代表的宽禁带半导体...
摘要:提出一种基于氮化镓(GaN)的功率集成技术,通过该工艺技术,能够单片集成功率集成电路所需的功率模块以及控制单元所需的各种低压器件。基于该工艺技术,实现...
在1950s年代,功率器件市场主要是以真空管为主,现在已经被硅基MO论文范文ET和IGBT器件所取代.目前以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体材料,因具有更高的开关频率、更...
但是,GaN功率器件的产业化仍然有很多问题有待解决,包括GaN器件制造的高成本以及器件可靠性方面的挑战。随着大尺寸Si衬底GaN外延生长技术的迅速发展,业界开始探索在成熟的CMOS...
本论文介绍了耗尽型GaN功率器件的特点及其栅极驱动电路设计的要求,深入分析了传统负压驱动电路中负压产生的原理以及负压电平移位电路的延时,指出了传统负压驱动电路的多电源...
求教各位研友，我查了些资料，GaN在半导体功率器件里应用的很多，还分为高阻和低阻，但是具体的电阻率...
本文针对Si基GaN功率电子器件的研制,做了如下工作:(1)使用SilvacoATLAS软件对所研制的Si基GaN功率电子器件进行设计;(2)研究并流片验证了Si基GaNHEMT...
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心GaN基SBD功率器件研究进展来自维普期刊平台喜欢0阅读量:20作者:李迪,贾利芳,何志,樊中朝,王晓东,杨富华展开...