苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展. 氮化镓（ GaN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。. 与第一代半导体硅 基的器件相比 ， GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用 ...
采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。 （共4页)
从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究，多次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）技术委员会（TPC）成员（全球功率半导体最高级别专…
展望2021之镓族科技：国产氧化镓功率器件相继问世 材料来源：化合物半导体杂志 主编 前言 2020年，我们共同经历了新冠肺炎疫情全球大流行，近200万人悄然离去，尊重生命，尊重科学，团结抗疫成国际共识，武汉封城、长江洪水肆虐、澳洲丛林大火 ...
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GaN功率开关器件研究现状 认领. GaN功率开关器件研究现状. 摘要 第三代半导体材料氮化镓 (GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。. 概述了GaN功率 ...
苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展 稿件来源：苏州纳米技术与纳米仿生研究所 责任编辑：ICAC 发布时间：2020-10-09 氮化镓（G aN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的 …
高功率微波射频器件的未来——金刚石基GaN功率器件与散热方案. 近十年来，氮化镓 (GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业｡. GaN具有禁带宽度大 (室温下为3.39eV)､击穿电场强度高 (3.3MV/cm)､饱和电子速度大 (2.5×10 7 cm/s)､热导率高 (1.5W·cm -1 ·K -1 )、抗辐射能力强 …
华北电力大学的研究人员对SiC MOSFET在不同导通模式下进行了功率循环试验，探究和对比了其在不同老化试验方法下的失效机理和失效表征参数的变化规律。. 图1 试验装置实物. 首先，基于器件在不同导通模式下的特性分析，重点对比正 …
中山大学王凯教授课题组在非晶氧化物半导体功率器件领域取得突破. 近日，中山大学电子与信息工程学院王凯教授课题组在非晶氧化物半导体（AOS）功率器件领域取得突破，成功研制出可用于片上三维功率集成的AOS高压异质结二极管。. 该成果以“Low-Temperature ...
光通信研究北大核心三年一评，建议下载各个大学提供的PDF版本；也可订购北京大学图书馆的核心期刊目录。...
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这篇应用文章的目的是告诉读者如何通过器件手册中的数据合理选择应用中的半导体功率器件。文章中的解释适合于常用功率电路,但为了使结论更确切,我们主要使针对IXYS公司的IGBT...
【电子技术应用】_功率器件_期刊发文热词逐年推荐_20140726
打开腾讯新闻,查看更多图片>连续4年荣膺“中国半导体功率器件十强企业”新洁能成立于2013年1月,专业从事MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等半...
功率半导体器件是电能转换与控制的核心器件,所有电子产品均离不开功率半导体器件,无论是毫瓦级的便携式终端,还是兆瓦级的高铁。现代功率半导体技术已被广泛应用于国民经济的方方面面...
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT...
图二单管功率为22.90kW的毫米波磁控管锁相后功率以及效率保持不变,信号同相,磁控管的轮辐也保持完全同步《IEEEElectronDeviceLetters》2021年的影响因子为4.187,...
各类微波功率器件泉州新益达微波电子有限公司是一家微波射频电子元器件销售企业,其总部设于泉州,并在深圳、成都等设分支机构。公司自2000年创办以来,始终以“...
基于此研究人员成功组装出一个具有8对热电臂的原型单级发电器件。器件输出性能测试表明,在温差为655K时,能量转化效率为8.3%,功率密度为2.11Wcm-2。该器件同时展现出了高转化效率和...