华中科技大学硕士学位论文基于TSV的MEMS圆片级真空封装关键技术的研究姓名：张卓申请学位级别：硕士专业：机械制造及其自动化指导教师：汪学方2011-01-16微机电系统（MicroElectroMechanicalSystem,MEMS）是将微机械元件、微型传感器
封装面积方面，配备2GB（16Gbit）时，SO-DIMM为67.6mm30.0mm，此次配备两个11.0mm15.0mm的封装即可。由此，封装面积可削减约70%。另外，还具有可省去DIMM槽、削减封装高度等优点。耗电量降低、封装面积减小的原因是，采用TSV后用来连接
用于3D集成封装技术的TSV互连工艺现状与趋势趋势,用于,3D,技术的,集成封装,3D集成,TSV,封装技术,工艺技术,TSV互连赶展现状与趋势寸，提高芯片的晶体管密度．改善层问电气互联性能，提升芯片运行速度，降低芯片的功耗、设计难度和成本。
TSV技术简介TSV(throughsiliconvia)穿透硅通孔技术，简称硅通孔技术。.TSV是利用垂直硅通孔完成芯片间互连的方法,由于连接距离更短、强度更高,它能实现更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明显减小的封装,同时还能用于异种芯片之间的互连。.TSV...
本文通过对TSV技术产生背景、技术工艺、运用现状和存在问题的论述得到以下结论：.3.1TSV技术可以使微电子封装达到最密连接，三维尺寸达到最小；同时TSV技术降低了连接长度，可有效降低芯片能耗，提高运行速度，因此TSV技术是很有潜力的实用技术；.3.2TSV...
转载自半导体百科作者:JohnH.Lau当前，3D封装技术正席卷半导体行业，引起整个行业的广泛关注。如今摩尔定律趋缓，而3D封装技术将会取而代之成为新的发展方向。因此各家公司一直在大力投资3D封装技术，以便占据良好的竞争优势。图1展示了...
3D封装与TSV工艺技术目录1TSV技术简介2通孔的形成3晶片减薄4TSV键合5总结TSV技术简介3D封装叠层芯片封装技术，简称3D封装，是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储-器(NOIUNAND)及SDRAM的叠层封装。
3D封装与TSV工艺技术,目录,4,TSV技术简介,1,2,3,5,通孔的形成,晶片减薄,TSV键合,总结,叠层芯片封装技术，简称3D封装，是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪,点石文库
TSV在2.5D、3D等封装技术中得到广泛应用，他详细介绍了当前的扇出型技术应用时的优缺点，以及市场应用时的发展方向。先进封装较传统封装来说功耗较高，但是性能优秀，未来将考虑如何实现…
从半导体发展历史看.封装.集成发展趋势：封测的过去、现在与未来.从上世纪50年代第一颗晶体管被发明，半导体至今已经走过了70个春秋。.回顾这70年的发展历程，人类社会对于更高生活品质的不断追求正是科技进步最根本的内源动力。.这强大的驱动力使...
便携式电子产品越来越强调轻、薄、短、小等特征,在此趋势下,模块化封装成为既定的道路,而模块化的封装尤以芯片级3D封装为技术发展重点.目前我国几大封装厂共同...
【摘要】:随着微电子技术的飞速发展,为了应对现代微电子器件高集成,小型化和高可靠性的封装要求,TSV(硅通孔,Through-SiliconVia,简称TSV)三维封装技术凭借其集成度高,低时延...
论文>期刊/会议论文>基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究卡分享于2015-12-0612:39:10.0基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究,晶圆级芯片尺寸...
设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。关键词:三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展论文PDF文档格式免费下载关键词汇文网所有资源均是用户...
研究的主要内容和创新点如下:(1)将TSV技术运用于MEMS圆片级真空封装中;(2)研究中比较几种圆片键合工艺的特点,结合项目要求,完成了金硅键合方案拟定、结构设计、工艺流程的...
docdell1分享于2010-10-0814:40:2.53D封装与硅通孔(TSV)工艺技术文档格式:.pdf文档页数:4页文档大小:313.03K文档热度:文档分类:论文--期刊/会议论...
【摘要】:正对三层堆叠薄TSV结构芯片中Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu微凸点互连(joinedmicrobump,10×10×3)在加速热循环(-40°～125°条件下的热-力行为进行有限元及分析。热循环...
论文目录摘要第1-4页ABSTRACT第4-5页第一章绪论第13-23页1.1研究背景及意义第13-18页1.1.13D封装系统概述第13-16页1.1.2TSV技术概述第16-17页1.1.3微通道...